多家晶圆代工厂入驻日本

wxhxkj01 | 2021-07-16 10:03:04 阅读：345

日本一直是半导体行业大国，旭化成集团旗下的霍尔元件产品，在中国市场也有较高的份额。而旭化成的一些霍尔元件产品，因为封装的特殊性，国产的霍尔元件还无法替代，所以在很多领域，旭化成依然是唯一的选择。

据韩国媒体 BusinessKorea 报导，台积电决定在日本设立半导体厂之后，美光也表示有意扩大日本投资，尤其是开发5nm DRAM 技术，正在威胁韩国三星电子和 SK 海力士的生产优势。美光执行长 Sanjay Mehrotra 近日接受日经新闻采访时表示，愿意和日本政府合作强化日本半导体供应链，将扩大投资，与日本设备和材料厂合作，并特别提到愿意和日本企业合作开发第五代 DRAM 技术。美光是全球第三大 DRAM 制造商，该公司 6 月初宣布，已经开始量产第四代 10 nm级制程 DRAM，独步全球。三星电子和 SK 海力士分别是全球 DRAM 龙头和第二大厂，但两家公司主要开发的仍是第三代 DRAM 技术。然而美光本月宣布将砸下 140 亿美元，开始扩大台湾台中 DRAM 厂的规模，这逐渐威胁到三星和海力士的市占率。

美光先前还传出有意收购日本铠侠 (Kioxia)，而铠侠是全球第二大 NAND 闪存业者。Trendforce 数据显示，三星在 NAND 闪存以 33.5% 市占率居第一，美光目前以 11.1% 居于第五，如果美光结盟并取得京瓷 18.7% 的市占率，将以 29.8% 市占率紧咬三星。台积电则正在强化与美、日之间的关系。台积 2 月宣布在筑波市设置半导体研发城，且据悉正在评估在日本设立独资晶圆厂。而台积电在美国亚利桑那州的 5 nm制程晶圆厂最近已经动工，该计划预定三年斥资 1000 亿美元，将多达六座工厂。三星电子也计划投资 170 亿美元扩大美国德州晶圆厂，也将扩大对韩国平泽 P3 产线的投资，不过目前并无进一步细节。 BusinessKorea 指出，尽管三星电子已宣布 2030 年前半导体投资额将从 133 兆韩元提高到 171 兆韩元，但比起台积电三年内斥资的 111 兆韩元，美光投资还是相形见绌。韩国内存制造商技术领先地位受威胁，美光急起直追

美光是全球第五大 NAND Flash 制造商，正逐渐展现出技术研发的实力，该公司在 2020 年 11 月开始向全球客户供应 176 层堆栈的 NAND Flash 产品，更是在 1 月份宣布已开始量产第四代 10 nm DRAM，这些都是韩国大厂三星电子或 SK 海力士无法量产的产品。

尽管截至去年第四季，三星电子和 SK 海力士在全球 DRAM 市场中的占比合计达 71%，NAND Flash 市场中的占比也达到 45%，但两家公司连续失去全球新技术首发的纪录，反映出两家公司的技术领导地位正受到对手的威胁。在一、两年前，三星电子在技术上领先美光约 2 年。三星电子于 2018 年 7 月量产了 96 层堆栈 V-NAND Flash，并且 SK 海力士于 2019 年 6 月首次量产了 128 层堆栈的 4D-NAND Flash。美光则一直到了 2020 年第二季，才量产 128 层堆栈 NAND Flash。三星电子还保持了第一代至第三代 10 nm DRAM 全球首发的纪录。但现如今，许多专家开始担忧，在美光陆续取得两项技术领先后，韩国半导体业的优势是否能维持下去。报导指出，技术差距缩小的最大原因是，随着内存工艺制程已接近极限，排名靠前的公司要进步会比后来者困难得多。到目前为止，三星电子已经花费了数兆韩元，并且相当多的时间在研发上以开发新技术。但是后来者却能够参考三星电子的技术发展路径，以更少的投资和时间赶上三星电子。有分析师表示，尽管目前韩国企业在成本竞争力和设施投资方面具有优势，但也正逐渐被美光和其他竞争对手追上。在 2019 年，美光的营业利益率为 19.5%，低于三星电子的 21.6%，但却几乎是 SK 海力士 10.1% 的两倍。尽管三星电子在 2020 年的营业利益率来到 25.8%，但 SK 海力士的营业利益率为 15.7%，与美光的 15.2% 相差无几。

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